Toshiba Elektronik Cihazlar ve Depolama Şirketi, masaüstü IH ocakları, IH pirinç ocakları, mikrodalga fırınlar ve voltaj rezonans devreleri kullanan diğer ev aletleri için 1350V ayrı bir IGBT olan GT20N135SRA'yı piyasaya sürdü. IGBT, mevcut üründen sırasıyla yaklaşık% 10 ve% 21 daha düşük olan 1.75V'luk bir kollektör-yayıcı doygunluk voltajı ve 1.8V'luk bir diyot ileri voltajına sahiptir.
Hem IGBT hem de diyot, yüksek sıcaklıkta (T C = 100 ℃) gelişmiş iletim kaybı özelliklerine sahiptir ve yeni IGBT, ekipmanın güç tüketimini azaltmaya yardımcı olabilir. Aynı zamanda, daha kolay termal tasarımlara izin veren mevcut ürünlerden yaklaşık% 26 daha düşük 0.48 ℃ / W'lik bir bağlantıdan kasaya termal dirence sahiptir.
GT20N135SRA IGBT'nin Özellikleri
- Düşük iletim kaybı:
VCE (sat) = 1.6V (typ.) (@ IC = 20A, VGE = 15V, Ta = 25 ℃)
VF = 1.75V (typ.) (@ IF = 20A, VGE = 0V, Ta = 25 ℃)
- Düşük bağlantıdan kasaya termal direnç: Rth (jC) = 0,48 ℃ / W (maks.)
- Ekipman açıldığında rezonans kapasitöründen geçen kısa devre akımını bastırır.
- Geniş güvenli çalışma alanı
Yeni IGBT, ekipman açıldığında rezonans kapasitöründen akan kısa devre akımını bastırabilir. Devre akımı tepe değeri, mevcut üründen yaklaşık% 31 azalma ile 129A'dır. GT20N135SRA, güvenli çalışma alanı genişlediğinden, ekipman tasarımını bugün mevcut diğer benzer ürünlerle karşılaştırıldığında daha kolay hale getirir. GT20N135SRA hakkında daha fazla ayrıntı için Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation'ın resmi web sitesini ziyaret edin.